[发明专利]低导通电阻及断路漏电的逆熔丝无效
| 申请号： | 02142687.2 | 申请日： | 2002-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1411053A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈锦扬 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低导通电阻及断路漏电的逆熔丝，该逆熔丝设于一基底的绝缘层上，其包含有一硅导电层，设于该绝缘层中并约略突出于该绝缘层表面；一介电层，设于该硅导电层顶面；以及一金属导电层，设于该绝缘层表面并覆盖于该介电层上；由于本发明利用硅材料作为下电极，所以可高温处理而于硅材料表面形成一品质较佳的介电层，以避免如金属－金属逆熔丝的介电层漏电流大的问题。此外，本发明利用金属材料作为上电极，因此可有效避免硅－硅逆熔丝具有高电阻值的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 断路 漏电 逆熔丝 | ||
【主权项】：
1.一种低导通电阻及断路漏电的逆熔丝，该逆熔丝设于一基底的绝缘层上，其特征是：该逆熔丝包含有：一硅导电层，设于该绝缘层中并约略突出于该绝缘层表面；一介电层，设于该硅导电层顶面；以及一金属导电层，设于该绝缘层表面并覆盖于该介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
