[发明专利]混合模拟组件的沟渠式电容器的制造方法

摘要

本发明是揭露一种混合模拟组件的沟渠式电容器的制造方法，其是在一半导体基底内形成浅沟渠隔离区域用以隔绝组件主动区时，在复数个浅沟渠结构中依序形成下层电极的氮化钛层、介电层及上电极金属层，使其结合在一起而制作出沟渠式电容器结构。本发明是利用沟渠式电容器取代已知的立体结构电容器，以藉此增加电容器的表面积而不会影响后续制造工艺，进而达到增加沟渠式电容器的电容量的功效者。

主权项

1、一种混合模拟组件的沟渠式电容器的制造方法，其特征是包括下列步骤：在一半导体基底中形成有一用以隔绝主、被动组件的第一浅沟渠隔离区域及一第二浅沟渠隔离区域，且在该第一浅沟渠隔离区域间是已形成栅极结构、源/汲极区域等半导体基本组件；形成一第一图案化光阻层于该半导体基底上，仅露出该第二浅沟渠隔离区域，以该第一图案化光阻层为屏蔽，去除该第二浅沟渠隔离区域内的氧化物而仅留下数浅沟渠；进行一离子布植步骤，在该浅沟渠周围的半导体基底中形成一导电层，完成后去除该第一图案化光阻层；进行自行对准金属硅化物的步骤，在该栅极结构、源/汲极区域及该浅沟渠表面是形成有金属硅化物，其上并覆盖有一氮化钛层，且该氮化钛层是作为下层电极；在该氮化钛层上依序形成一介电层及一上电极金属层；形成一第二图案化光阻层于该半导体基底上，以露出该第一浅沟渠隔离区域及其上的基本组件；以及以该第二图案化光阻层为屏蔽，去除露出的该上电极金属层、介电层及氮化钛层，使位于该沟渠中的该上电极金属层、介电层及氮化钛层形成一沟渠式电容器。