[发明专利]有机发光器件结构中具有重碱金属卤化物的溅射阴极无效
| 申请号： | 02142860.3 | 申请日： | 2002-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN1409413A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | J·K·马达蒂尔;P·K·雷乔胡里;C·W·汤 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L51/20;H01L51/40;H05B33/12;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,王其灏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种OLED器件，包括基片、由覆盖基片的导电材料形成的阳极、设在阳极层上具有电致发光材料的发射层、设在发射层上包含重碱金属卤化物的缓冲层以及选择用来与缓冲层一起起到注入电子作用的金属或金属合金溅射层。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 发光 器件 结构 具有 碱金属 卤化物 溅射 阴极 | ||
【主权项】：
1.一种OLED器件，其包括：a)基片；b)由覆盖基片的导电材料形成的阳极；c)设在阳极层上、具有电致发光材料的发射层；d)缓冲层，设在发射层上并包含重碱金属卤化物；以及e)金属或金属合金溅射层，设在缓冲层上并选择用来与缓冲层一起起到注入电子的作用。
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