[发明专利]定义氧化硅/氮化硅/氧化硅介电层的方法无效
| 申请号： | 02142892.1 | 申请日： | 2002-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1485890A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 施学浩;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/283 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制造流程中定义氧化硅/氮化硅/氧化硅(ONO)介电层的方法，首先，提供一基底，接着，在基底上依序形成一第一氧化硅层、一氮化硅层及一第二氧化硅层以构成一介电层；之后，在介电层上形成一作为保护层的硅层；接着，在硅层上形成一光阻图案层，以作为罩幕来进行蚀刻至露出基底表面；最后，在去除该光阻图案层之后，由氢氟酸溶液及氨水－过氧化氢溶液来清洗基底，以去除进行蚀刻时所产生的侧壁围篱残留物；由于有一硅层保护ONO介电层，可以防止在清洗期间受到蚀刻而降低有效氧化层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 定义 氧化 氮化 硅介电层 方法 | ||
【主权项】：
1、一种定义氧化硅/氮化硅/氧化硅介电层的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一基底；在该基底上依序形成一第一氧化硅层、一氮化硅层及一第二氧化硅层以构成一介电层；在该介电层上形成一硅层；在该硅层上形成一光阻图案层；以该光阻图案层为罩幕进行蚀刻至露出该基底表面。去除该光阻图案层；以及利用该硅层作为一保护层来清洗该基底，以去除进行蚀刻时所产生的侧壁围篱残留物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02142892.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：介电层的制造方法
- 下一篇：半导体存储器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
