[发明专利]碳膜覆盖部件有效
| 申请号： | 02142923.5 | 申请日： | 2002-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1419262A | 公开（公告）日： | 2003-05-21 |
| 发明（设计）人： | 佐藤道雄;山野边尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种低磨耗性、耐磨耗性、耐腐蚀性卓越的在恶劣条件下使用时也很少产生剥离、落尘、劣化，很少给半导体产品带来不良影响，并且耐久性卓越的碳膜覆盖部件。在基材2表面的至少一部分形成了无定形碳4构成的基体中含有金属和/或金属碳化物5的覆盖膜6的碳膜覆盖部件1中，构成上述覆盖膜的金属(M)与碳(C)的原子比(M/C)在0.01～0.7的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 部件 | ||
【主权项】：
1.碳膜覆盖部件，所述部件的基材表面的至少一部分形成了无定形碳构成的基体中含有金属和/或金属碳化物的覆盖膜，其特征在于，构成上述覆盖膜的金属(M)与碳(C)的原子比(M/C)在0.01～0.7的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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