[发明专利]非易失性半导体存储器及其制造方法

摘要

非易失性半导体存储器具有设置在半导体衬底内的沟槽隔离和、设置在半导体衬底上的层间绝缘膜。沟槽隔离在区分在半导体衬底向第1方向延伸的有源区。层间绝缘膜具有向与第1方向交叉的第2方向延伸的布线槽。在有源区和布线槽的交叉部第1导体层设置为与有源区绝缘。第2导体层设置为在布线槽内与第1导体层绝缘。金属层在布线槽内设置为与第2导体层电接触。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器，其特征在于具有：半导体衬底：设置在上述半导体衬底内的沟槽隔离，该沟槽隔离在上述半导体衬底区分有源区，该有源区沿第1方向延伸：设置在上述半导体衬底上的层间绝缘膜、该层间绝缘膜具有布线槽，该布线槽沿与上述第1方向交叉的第2方向延伸；设置在上述有源区和上述布线槽的交叉部的第1导体层，该第1导体层与上述有源区绝缘；设置在上述布线槽内的第2导体层，该第2导体层与上述第1导体层绝缘；和设置在上述布线槽内的金属层，该金属层与上述第2导体层电接触。