[发明专利]通过使用保护层制造半导体结构的方法和半导体结构无效
| 申请号： | 02143162.0 | 申请日： | 2002-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1409372A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | J·霍兹 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在此叙述了一种方法，其中在衬底(14)上制造半导体结构(12)。然后将保护层(10)涂在半导体结构(12)上。为了制造构成在衬底(14)上的其他的半导体结构进行中间处理，这个中间处理导致在保护层(10)上形成裂纹。将保护层(10)借助于修复层进行修复。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 使用 保护层 制造 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.制造半导体结构(12，112)的方法，其中，在半导体结构(12，112，212)和在衬底(14，114)上涂上保护层(10，110)，其中，进行至少一个中间处理，这个处理导致在保护层(10，110)上形成裂纹(38，138)，其中，在所述在其保护作用中被损坏的保护层(10，110)上涂上修复层(50，150)，和其中，在涂上其他层(90)之前和/或在进行后面的处理之前将修复层(50，150)重新除去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
