[发明专利]强电介质记忆装置及其制造方法

摘要

一种强电介质记忆装置。在多个强电介质电容器中的在字线方向及位线方向的一方向上排列的多个强电介质电容器的相邻下部电极之间埋入第一绝缘性氢气阻挡膜。在一方向上排列的多个强电介质电容器的下部电极及第一绝缘性氢气阻挡膜上，形成由在一方向上排列的多个强电介质电容器共用的电容绝缘膜。在共用电容绝缘膜上，形成由在一方向上排列的多个强电介质电容器所共用的上部电极。共用上部电极上由形成的第二绝缘性氢气阻挡膜所覆盖。

主权项

1.一种强电介质记忆装置，包括具有依次形成在半导体基板上的层间绝缘膜上的下部电极、由强电介质膜构成的电容绝缘膜及上部电极的、被配置在字线方向及位线方向上的多个强电介质电容器，其特征在于：在所述多个强电介质电容器中，在字线方向及位线方向的其中一方向上排列的多个强电介质电容器的相邻下部电极之间埋入第一绝缘性氢气阻挡膜；在所述一方向上排列的多个强电介质电容器的所述下部电极及所述第一绝缘性氢气阻挡膜上，形成由在所述方向上排列的多个强电介质电容器所共用的电容绝缘膜；在所述共用电容绝缘膜上，形成由在所述方向上排列的多个强电介质电容器上共用的上部电极；形成覆盖所述共用上部电极的第二绝缘性氢气阻挡膜。