[发明专利]减少反应室杂质含量的方法有效
| 申请号： | 02143321.6 | 申请日： | 2002-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1447397A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 谢延武 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科 *** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种减少反应室杂质含量的方法，包括：在反应室清洁后，先形成保护层在反应室的内表面，然后再在反应室内进行制造程序，在此制造程序对保护层的影响可以忽略。简言之，本发明的关键是在反应室进行某些制造程序之前，先形成基本上不会与这些制造程序反应的保护层在反应室的内表面，藉以减少保护层与这些制造程序间反应所产生的颗粒、剥落等缺陷。举例来说，在以氯等离子体进行蚀刻之前，可以先以含有氟与氯的等离子体形成基本上不会与氯等离子体反应的聚合物层在蚀刻反应室的内壁。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 反应 杂质 含量 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少反应室杂质含量的方法，其特征在于，包括：清洁一反应室；形成一保护层在该反应室的一内表面；以及在该反应室内进行至少一制造程序，这些制造程序与该保护层并不会相互作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
