[发明专利]高压元件的周边无效
| 申请号： | 02143331.3 | 申请日： | 2002-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1414627A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 帕斯卡·迦德斯 | 申请（专利权）人： | ST微电子公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在一部分绝缘体上的半导体衬底中形成元件的方法，特征在于侧壁由绝缘层与所述部分内部的周边区隔开，并重掺杂成与所述衬底相同的导电类型。与所述壁同时在衬底表面的保护层上形成导电板，所述板与周边区电接触，所述板在所述周边区上相对于壁向所述部分内部延伸，超出了周边区和衬底之间的界限上的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 周边 | ||
【主权项】：
1.一种在一部分绝缘体(3)上的第一导电类型半导体衬底(1)中形成元件的方法，特征在于：侧壁(21)由绝缘层(10)与所述部分内部的周边区(8)隔开，并重掺杂成第一导电类型，其中与所述壁同时在衬底表面的保护层(6)上形成导电板(22)，所述板与周边区电接触，所述板在所述周边区上相对于壁向所述部分内部延伸，超出了周边区和衬底之间的界限上的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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