[发明专利]设于硅覆绝缘中的硅控整流器及其应用电路有效
| 申请号： | 02143383.6 | 申请日： | 2002-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1414639A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;洪根刚;唐天浩 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/861;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种设于硅覆绝缘中的硅控整流器及其应用电路，该SOI－SCR可为SOI－NSCR或SOI－PSCR；SOI－NSCR包含有一P型井与一N型井；一第一P+掺杂区及一第一N+掺杂区，设于N型井并电连接一阳极；一第二P+掺杂区及一第二N+掺杂区，设于P型井并电连接一阴极，且第一P+掺杂区、N井、P型井及第二N+掺杂区构成一横向SCR；一第三N+掺杂区，横跨部分的N井及P型井；一栅极，设于P型井中并与第三N+掺杂区及第二N+掺杂区构成一NMOS；一个虚置栅极，设于N型井中；加压于该NMOS的栅极并打开该NMOS时，于N型井至P型井形成一顺向偏压而开启该SOI－NSCR；加压于第三N+掺杂区，一触发电流使该横向SCR进入锁定状态，而开启该SOI－NSCR；本发明可使SCR装置更为紧密，亦可加速其开启以达到ESD防护目的。 | ||
| 搜索关键词： | 设于 绝缘 中的 整流器 及其 应用 电路 | ||
【主权项】：
1.一种设于硅覆绝缘(SOI)基底的NMOS触发硅控整流器(SOI-NSCR)，其特征是：该SOI-NSCR包含有：一P型井与一N型井，设于该硅复绝缘基底表面的一单晶硅层中；一第一P+掺杂区域以及一第一N+掺杂区域，设于该N型井中，用来当作该SOI-NSCR的阳极；一第二P+掺杂区域以及一第二N+掺杂区域，设于该P型井中，用来当作该SOI-NSCR的阴极，且该第一P+掺杂区域、该N井、该P型井以及该第二N+掺杂区域构成一横向SCR；一第三N+掺杂区域，横跨部分的该N型井以及该P型井；一栅极，设于该P型井中，并与该第三N+掺杂区域以及该第二N+掺杂区域构成一NMOS；以及一虚置栅极，设于该N型井中，用来隔绝该第一P+掺杂区域以及该第三N+掺杂区域。
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