[发明专利]激光照射方法和激光照射器件以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 02143428.X | 申请日： | 2002-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1409382A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;宫入秀和;志贺爱子;下村明久;矶部敦生 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;G02F1/35 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,陈霁 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 方法 器件 以及 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种激光照射器件，包含：一激光器；和一个凸透镜，其中所述凸透镜相对于所述激光器发射的激光束倾斜放置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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