[发明专利]用于制造半导体器件的强声波清洗设备无效
申请号: | 02143435.2 | 申请日: | 2002-09-25 |
公开(公告)号: | CN1447392A | 公开(公告)日: | 2003-10-08 |
发明(设计)人: | 尹炳文;河商录;金坰显;赵显镐;吕寅准;南廷林 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B08B3/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜,谷惠敏 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种用于去掉晶片上的污染物颗粒的强声波清洗设备。强声波清洗设备包括压电变换器和能量传输棒。压电变换器用于产生强声波能量。沿着晶片径向安装在晶片上的能量传输棒用于给晶片上的清洗液分配能量和用于振动清洗液。能量传输棒的形状和尺寸使得通过清洗液在晶片径向均匀分配能量,由此从晶片去掉污染物颗粒。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体器件 声波 清洗 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于去掉晶片上的污染物颗粒的强声波清洗设备,包括:用于产生强声波能量的压电变换器;和沿着晶片的径向安装在晶片上的能量传输棒,用于给晶片上的清洗液分配强声波能量,其中能量传输棒的形状和尺寸使得可以通过清洗液在晶片径向均匀地分配能量,由此从晶片上去掉污染物颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造