[发明专利]具有冗长修复功能的薄膜磁性体存储装置有效
| 申请号： | 02143452.2 | 申请日： | 2002-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1433023A | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 大谷顺 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 与存储器阵列(10)相邻地配置的编程组件(PU0～PU2)分别各存储置换修复所需要的冗长信息的1位。在通常的数据读出动作之前，从编程组件中读出的冗长信息锁存到行选择电路(20)内。行选择电路(20)根据由冗长信息表示的不良行地址与输入的行地址(RA0，RA1)的一致判断有选择地激活与正规存储单元对应的字线(WL0～WL3)和备用字线(SWL)中的1条字线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 冗长 修复 功能 薄膜 磁性 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储装置，其特征在于：具有多个正规存储单元和用于置换修复上述多个正规存储单元中的缺陷存储单元的多个备用存储单元配置成矩阵状的存储器阵列、分别用于存储上述置换修复所使用的冗长信息的1位的多个编程组件、用于在数据读出动作进行之前从上述多个编程组件中读出上述冗长信息的编程信息读出部和根据由上述编程信息读出部读出的上述冗长信息和输入的地址信号控制对上述多个正规存储单元和上述多个备用存储单元的访问的选择电路，上述各编程组件分别具有结构与上述正规存储单元和上述备用存储单元相同的2个编程单元，上述2个编程单元分别存储不同电平的数据。
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