[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 02143453.0 | 申请日： | 2002-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1402255A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 山口秀策;内田敏也;柳下良昌;阪东能英;矢田雅大;奥田正树;小林广之;原浩太;藤冈伸也;藤枝和一郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 形成用于再生第一存储器块的数据的多个第一存储器块和一个第二存储器块。当读命令与刷新命令彼此冲突时，读控制电路根据刷新命令访问第一存储器块并利用第二存储器块再生读数据。当写命令与刷新命令彼此冲突时，写控制电路根据命令接收的次序操作存储器块。因此，可能在不由用户识别的情况下执行刷新操作。即，提供用户友好的半导体存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括：多个用于存储数据的第一存储器块；一个第二存储器块，用于存储数据，该数据用于再生存储在所述第一存储器块中数据；第一命令发生器，用于接收命令并产生用于访问所述第一存储器块的读命令或写命令；第二命令发生器，用于产生访问所述第一存储器块的第二命令；读控制电路，当读命令和第二命令访问相同第一存储器块时，利用存储在所述第二存储器块中的数据，从被访问的第一存储器块再生读数据；和写控制电路，当写命令和第二命令访问相同的所述第一存储器块时，用于按照写命令和第二命令按次序执行操作。
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