[发明专利]剥离方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 02143458.1 | 申请日： | 2002-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1409373A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;丸山纯矢;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,罗朋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种剥离方法，不会损伤剥离层，不仅能够剥离具有较小面积的剥离层，而且能够剥离掉具有较大面积的剥离层整个表面。此外本发明的目的在于通过将剥离层粘贴到多种基片上提供一种轻型半导体器件及其制备方法。具体地，本发明的目的在于通过粘贴多种元件例如TFT到柔性膜提供一种轻型半导体器件及其制备方法。即使第一材料层形成在基片上，第二材料层与上述第一材料层相邻形成，进一步进行层叠膜形成，在500℃或更高的温度进行热处理或激光束照射处理，如果第一材料层在剥离之前具有拉伸应力，第二材料层具有压缩应力，通过物理方式，可以容易地在第二材料层的层内或界面中很好地分离层。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于从基片将剥离层剥离的剥离方法，包括：形成所述剥离层，所述剥离层由所述基片上具有拉伸应力的第一材料层和具有压缩应力并至少与所述基片上的所述第一材料层相邻提供的第二材料层组成；以及然后通过物理方式在所述第二材料层内或所述第二材料层的界面中从支承所述第一材料层的所述基片将所述剥离层剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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