[发明专利]高密度存储器读出放大器有效
申请号: | 02143597.9 | 申请日: | 2002-10-11 |
公开(公告)号: | CN1412777A | 公开(公告)日: | 2003-04-23 |
发明(设计)人: | F·A·佩尔纳;A·L·范布洛克林;P·J·弗里克;J·R·小易通 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
主分类号: | G11C11/4091 | 分类号: | G11C11/4091 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 栾本生,梁永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种读取电阻性存储器阵列30的多状态存储器单元RW中数据的读出放大器38,包括具有第一和第二输入节点74,75的差分放大器Q5,Q6。读出电路A1,Q1,Q2利用施加其上的读电压VR确定存储器单元RW中的电流,并将代表存储器单元RW电流的检测电流施加到差分放大器的第一输入节点74。参考电路A2,Q3,Q4具有第一和第二电阻元件RH,RL,用于将参考电流施加到差分放大器的第二输入节点75,提供与读出电流作比较的对照参考值,以确定存储器单元RW的状态。第一电阻元件RH具有代表存储器单元RW第一状态的电阻,第二电阻元件RL具有代表存储器单元RW第二状态的电阻。参考电路A2,Q3,Q4提供参考电流,它是通过第一和第二电阻元件RH,RL电流的平均。比较器电器76将差分放大器第一和第二输入节点74,75上的信号作比较以提供表明被读出存储器单元RW状态的输出V0。 | ||
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【主权项】:
1.一种用于对施加在被读出存储器单元RM两端的读电压作出响应,读出电阻性存储器阵列30的多状态存储器单元RM中的数据的读出放大器38,包括:(a)具有第一和第二输入节点74,75的差分放大器Q5,Q6;(b)读出电路A1,Q1,Q2,用于利用施加其上的读电压确定存储器单元中的电流,和将代表存储器单元电流的读出电流施加到差分放大器Q5,Q6的第一输入节点74;和(c)具有第一和第二电阻元件RH,RL的参考电路A2,Q3,Q4,用于将平均参考电流施加到差分放大器Q5,Q6的第二输入节点75,参考电流提供与读出电流比较对照的值,用以确定存储器单元RM的状态。
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