[发明专利]高密度存储器读出放大器有效

专利信息
申请号: 02143597.9 申请日: 2002-10-11
公开(公告)号: CN1412777A 公开(公告)日: 2003-04-23
发明(设计)人: F·A·佩尔纳;A·L·范布洛克林;P·J·弗里克;J·R·小易通 申请(专利权)人: 惠普公司
主分类号: G11C11/4091 分类号: G11C11/4091
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 栾本生,梁永
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种读取电阻性存储器阵列30的多状态存储器单元RW中数据的读出放大器38,包括具有第一和第二输入节点74,75的差分放大器Q5,Q6。读出电路A1,Q1,Q2利用施加其上的读电压VR确定存储器单元RW中的电流,并将代表存储器单元RW电流的检测电流施加到差分放大器的第一输入节点74。参考电路A2,Q3,Q4具有第一和第二电阻元件RH,RL,用于将参考电流施加到差分放大器的第二输入节点75,提供与读出电流作比较的对照参考值,以确定存储器单元RW的状态。第一电阻元件RH具有代表存储器单元RW第一状态的电阻,第二电阻元件RL具有代表存储器单元RW第二状态的电阻。参考电路A2,Q3,Q4提供参考电流,它是通过第一和第二电阻元件RH,RL电流的平均。比较器电器76将差分放大器第一和第二输入节点74,75上的信号作比较以提供表明被读出存储器单元RW状态的输出V0。
搜索关键词: 高密度 存储器 读出 放大器
【主权项】:
1.一种用于对施加在被读出存储器单元RM两端的读电压作出响应,读出电阻性存储器阵列30的多状态存储器单元RM中的数据的读出放大器38,包括:(a)具有第一和第二输入节点74,75的差分放大器Q5,Q6;(b)读出电路A1,Q1,Q2,用于利用施加其上的读电压确定存储器单元中的电流,和将代表存储器单元电流的读出电流施加到差分放大器Q5,Q6的第一输入节点74;和(c)具有第一和第二电阻元件RH,RL的参考电路A2,Q3,Q4,用于将平均参考电流施加到差分放大器Q5,Q6的第二输入节点75,参考电流提供与读出电流比较对照的值,用以确定存储器单元RM的状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普公司,未经惠普公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02143597.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top