[发明专利]互补式金氧半导体影像感测元件有效
| 申请号： | 02143620.7 | 申请日： | 2002-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1416176A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈重尧;林震宾 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种互补式金氧半导体影像感测元件(CMOSimagesensor)，该影像感测元件制作于一半导体晶片上，且该半导体晶片表面包含有一第一导电型式的硅基底。该影像感测元件包含有一光感测区，由一第二导电型式的浅掺杂区所构成，且该浅掺杂区形成于该基底表面的一第一预定深度；一第二预定深度的绝缘层设于该基底的表面并环绕于该光感测区周围，且该第二预定深度大于该第一预定深度；一金氧半导体晶体管(MOStransistor)制作于该半导体晶片上并电连接于该光感测区；以及一第一导电型式的深掺杂区形成于该绝缘层下方的基底中，且该深掺杂区的掺质浓度与深度呈一高斯分布(Gaussdistribution)。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 式金氧 半导体 影像 元件 | ||
【主权项】：
1.一种互补式金氧半导体影像感测元件，该影像感测元件制作于一半导体晶片上，且该半导体晶片表面包含有一第一导电型式的硅基底，其特征是：该影像感测元件包含有：一光感测区，由一第二导电型式的浅掺杂区所构成，且该浅掺杂区形成于该基底表面的一第一预定深度；一第二预定深度的绝缘层，设于该基底的表面并环绕于该光感测区周围，且该第二预定深度大于该第一预定深度；一金氧半导体晶体管，制作于该半导体晶片上并电连接于该光感测区；以及一第一导电型式的深掺杂区形成于该绝缘层下方的基底中，且该深掺杂区的掺质浓度与深度呈一高斯分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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