[发明专利]薄膜晶体管及矩阵显示装置有效
| 申请号： | 02143753.X | 申请日： | 2002-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1405898A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 川崎雅司;大野英男;小林和树;迫野郁夫 | 申请（专利权）人： | 川崎雅司;大野英男;夏普公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑建晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，在栅电极上形成包括第1绝缘膜和第2绝缘膜的栅绝缘膜，在第2绝缘膜上形成用ZnO等的半导体层。第1绝缘膜用绝缘性高的SiNX等形成，另一方面，第2绝缘膜由氧化物(例如SiO2)形成。根据该结构，能够实现与第2绝缘膜形成接触面的半导体层的结晶特性的提高，和半导体层与第2绝缘膜的接触面的缺陷能级的降低。此外，用氧化物构成第2绝缘膜，能够抑制由第2绝缘膜的材料从半导体层夺取氧。所以，能良好地保持与半导体层的第2绝缘膜的接触面附近的结晶特性，其结果，能实现断开区域上的漏泄电流电平低且迁移率高的转换特性良好的薄膜晶体管。因而，具有透明半导体膜的薄膜晶体管中，TFT特性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 矩阵 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：用ZnO、MgxZn1-xO、CdxZn1-xO或CdO，或者用掺杂有取1价价数的元素或Ni的ZnO、MgxZn1-xO、CdxZn1-xO或CdO的半导体层(5)；栅绝缘膜(4)，具有与栅电极(3)形成接触面的用氧化物以外的材料的第1绝缘膜(4a)，和夹在该第1绝缘膜(4a)和上述半导体层(5)中、与双方形成接触面的用氧化物的第2绝缘膜(4b)。
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