[发明专利]垂直取向的超小型熔断器和超小型电阻器的电路元件无效
| 申请号： | 02143779.3 | 申请日： | 2002-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1409396A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | T·C·安东尼 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥凌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含有熔断器和电阻器的垂直取向的超小型电路(100，300)可以达到相当高的密度，该垂直取向的超小型电路(100，300)可以采用类如Damascene、湿刻蚀、活性刻蚀等的已知标准方法制成，因此除了需要现成的近代化设备外，几乎不需要额外的投资，采用此种垂直取向的超小型电路(100，300)的装置，其制造成本也不高。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 取向 超小型 熔断器 电阻器 电路 元件 | ||
【主权项】：
1.一种垂直取向的超小型电路(190、300)，其包括：一个在第一方向上伸展的上导体(160、360)；一个在第二方向上伸展的下导体(110、310)，从而在上导体(160、360)和下导体(110、310)之间限定一个重叠区(115、315)，所述下导体(110、310)同所述上导体(160、360)成电连接；一个在所述重叠区(115、315)内形成且同所述上导体(160、360)和下导体(110、310)成电连接的垂直取向的导电衬垫(130、330)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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