[发明专利]驱动功率半导体元件的方法

摘要

集成门双晶体管(IGDT)有两个可控门(G1，G2)，第一门(G1)放在阴极一侧，并通过低电感的第一门连接端由第一门电流所驱动，而第二门(G2)放在阳极一侧，并通过低电感的第二门连接端由第二门电流所驱动。在IGDT的切断操作中，IGDT上的电压的上升速率是通过该两个门而受到限制的。对IGDT上的电压的上升速率的限制，阻止了在串接的IGDT电路中的不同速度的电压增长，也因此阻止了由于不均匀的负荷而产生的过热，以及对个别IGDT的毁坏。

主权项

1.一种驱动功率半导体元件的方法，该功率半导体元件是一种集成门双晶体管(IGDT)，它含有-在阳极(A)和阴极(K)之间的一个四层半导体的基片(1)，带有-一个阳极外p型掺杂的阳极层，-一个两部分的n型掺杂基区层，带有集成的n型缓冲区，-一个p型掺杂基区层，以及-一个阴极外n型掺杂的阴极层，-以及两个门(G1，G2)，可以通过低电感门连接端而对其加以控制，在该方法中，以硬驱动仅第一门(G1)，仅第二门(G2)，或者，同时地或有短暂的错动地以硬驱动两个门，或者，以硬驱动两个门中之一个，和电流或电压控制另一个门，就可以实现至少下面的一种情况：a)在关断该IGDT的操作中，开关损耗通过该两个门(G1，G2)而得到降低；b)在关断该IGDT的操作中，该IGDT上的电压(UAK)的上升速率通过该两个门(G1，G2)而得到限制；c)在该IGDT的已关断态中，阳极和阴极之间的反向电流(IA)通过该两个门(G1，G2)而得到控制；d)在开启该IGDT的操作中，阳极电流(IA)的上升速率通过该两个门(G1，G2)而得到限制；e)在该IGDT的已开启态中，阳极电流(IA)通过该两个门(G1，G2)而得到限制和/或控制。