[发明专利]具有在系统及离系统上的可编程非易失性存储器的芯片有效
申请号: | 02143797.1 | 申请日: | 2002-09-29 |
公开(公告)号: | CN1485916A | 公开(公告)日: | 2004-03-31 |
发明(设计)人: | 邱延诚;唐春安;林光宇;唐承豪 | 申请(专利权)人: | 义隆电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;G11C16/00;G11C14/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 马莹;邵亚丽 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种在系统上可编程及离系统可编程的芯片,包括控制电路连接在系统上可编程非易失性存储器及离系统可编程非易失性存储器,以及升压电路连接该在系统上可编程非易失性存储器。在该芯片的烧录模式下,编程该离系统可编程非易失性存储器所需的烧录电压是由该芯片外部提供,而在该芯片的操作模式下,该升压电路从该芯片的电源电压产生烧录电压供应给该在系统上可编程非易失性存储器,以编程该在系统上可编程非易失性存储器。 | ||
搜索关键词: | 具有 系统 可编程 非易失性存储器 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种在系统上可编程及离系统可编程的芯片,包括:控制电路;离系统可编程非易失性存储器,连接该控制电路,该离系统可编程非易失性存储器仅在连接该芯片外部的烧录电压时才能被编程;在系统上可编程非易失性存储器,连接该控制电路,该在系统上可编程非易失性存储器可在该控制电路控制下被编程;升压电路,连接该在系统上可编程非易失性存储器,而在编程该在系统上可编程非易失性存储器时供应烧录电压;易失性存储器,连接该控制电路;及输入/输出单元,连接该控制电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于义隆电子股份有限公司,未经义隆电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02143797.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用垂直结构的碳纳米管晶体管设计的单电子存储器及制法
- 下一篇:半导体集成电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的