[发明专利]静态随机存取存储器无效
| 申请号： | 02143810.2 | 申请日： | 1997-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1527388A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;宫永昭治;福永健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种静态随机存取存储器，包括：一个衬底；一对在衬底上形成的交叉连接的驱动晶体管；一对数据选取晶体管；一对位线，经所述数据选取晶体管分别电连接到所述交叉连接的驱动晶体管；以及一位线，电连接到所述一对数据选取存取晶体管，其中，至少各个交叉连接的驱动晶体管包括在衬底上的绝缘表面上形成的结晶半导体膜，所述结晶半导体膜具有其中形成有沟道形成区的单畴区。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器，包括：一个衬底；一对在衬底上形成的交叉连接的驱动晶体管；一对数据选取晶体管；一对位线，经所述数据选取晶体管分别电连接到所述交叉连接的驱动晶体管；以及一位线，电连接到所述一对数据选取存取晶体管，其中，至少各个交叉连接的驱动晶体管包括在衬底上的绝缘表面上形成的结晶半导体膜，所述结晶半导体膜具有其中形成有沟道形成区的单畴区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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