[发明专利]位线控制译码器电路，半导体贮存器件及其数据读出方法无效
| 申请号： | 02143905.2 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1411001A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 山本薰;伊藤伸彦 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了虚拟地型非易失性半导体贮存器件，它能够有效地抑制流到相邻单元的泄漏电流，由此达到高速度读出。在读出期间，把地电位GND加到被连接到要被读出的一个存储器单元晶体管NC04的源极区域的位线SBL5。而且，读漏极偏置电位Vread被加到连接到该存储器单元晶体管MC04的漏极区域的位线SBL4。被连接到第一相邻存储器单元晶体管MC03的漏极区域的位线被设置成浮置状态。等于读漏极偏置电位Vread的电位Vdb被加到连接到第二相邻存储器单元晶体管MC02的漏极区域的位线SBL2。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 译码器 电路 半导体 贮存 器件 及其 数据 读出 方法 | ||
【主权项】：
1.虚拟地型非易失性半导体贮存器件，它具有：多个以矩阵形式排列的非易失性存储器单元晶体管；多条字线，用于执行行选择；和多条位线，用于执行列选择，其中一个存储器单元晶体管的源极区域和漏极区域分别与在相邻地位于在行的方向的一侧的存储器单元晶体管的漏极区域和在相邻地位于在行的方向的另一侧的存储器单元晶体管的源极区域共同地形成，以及该共同地形成的源极和漏极区域被连接到位线，该虚拟地型非易失性半导体贮存器件包括：用于在读出期间把地电位加到被连接到要被读出的一个存储器单元晶体管的源极区域的位线的装置；用于把读漏极偏置电位加到被连接到该一个存储器单元晶体管的漏极区域的位线的装置；用于把被连接到相邻地位于该一个存储器单元晶体管的行的方向的另一侧的第一相邻存储器单元晶体管的漏极区域的位线设置成浮置状态的装置；以及用于把等于读漏极偏置电位的电位加到被连接到相邻地位于第一相邻存储器单元晶体管的行的方向的另一侧的第二相邻存储器单元晶体管的漏极区域的位线的装置。
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