[发明专利]电解抛光方法无效
| 申请号： | 02144068.9 | 申请日： | 2002-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1411039A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 松井嘉孝;小助川広志;小寺雅子;宫下直人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/465;C25F3/16;C25F7/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥,陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过在电解液内在阳电极与反电极之间施加电压，同时使所述阳电极与靶材料的表面接触，电解抛光靶材料。阳电极由一种电极材料形成，在使用恒电势器的电化学测量中，在0.1M的高氯酸溶液内，相对于银/氯化银电极，施加+2.5V电压时，该电极材料具有不高于10mA/cm2的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 电解 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电解抛光方法，包括在电解液内跨阳电极与反电极施加电压，同时使所述阳电极与靶材料的表面接触，从而电解抛光靶材料；其中所述阳电极由一种电极材料形成，在使用恒电势器的电化学测量中，在0.1M的高氯酸溶液内，相对于银/氯化银电极，施加+2.5V电压时，该电极材料具有不高于10mA/cm2的电流密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
