[发明专利]掩模图形制成方法及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 02144071.9 | 申请日： | 2002-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1411034A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 小谷敏也;田中聪;井上壮一;小林幸子;市川裕隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静,陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种由设计图形生成掩模图形的掩模图形制成方法，包括直到前述设计图形的设计结束为止，制成修正库，该修正库记录有由前述设计图形的掩模蚀刻坐标组、和用于修正前述边缘坐标组的修正值组组成的对；获得设计结束后的设计图形的第一个边缘坐标组；将对应于与第一个边缘坐标组一致的边缘坐标组的修正值组记录到前述修正库中，或从该修正库中调出；在无记录的情况下，通过根据预先确定的修正参数进行的模拟，计算出第一边缘坐标组的修正值组；将由第一边缘坐标组和修正值组构成的对追加记录到前述修正库中；在有记录的情况下，从前述修正库中读取对应的修正值组；和根据计算出的修正值组、或读出的修正值组中的任何一个，对设计图形进行修正，生成掩模图形。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 制成 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1、一种由设计图形生成掩模图形的掩模图形制成方法，包括：直到前述设计图形的设计结束为止，制成修正库，该修正库记录有由前述设计图形的边缘坐标组、和用于修正前述边缘坐标组的修正值组构成的对，获得设计结束后的设计图形的第一个边缘坐标组，将对应于与第一个边缘坐标组一致的边缘坐标组的修正值组记录到前述修正库中，或从该修正库中调出，在无记录的情况下，通过根据预先确定的修正参数进行的模拟，计算出第一边缘坐标组的修正值组，将由第一边缘坐标组和修正值组构成的对追加记录到前述修正库中，在有记录的情况下，从前述修正库中读取对应的修正值组，根据计算出的修正值组、或读出的修正值组中的任何一个，对设计图形进行修正，生成掩模图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
