[发明专利]金属内连线的制造方法有效
| 申请号： | 02144078.6 | 申请日： | 2002-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1485896A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 包天一;黎丽萍;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;楼仙英 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种金属内连线的制造方法，适用于一半导体基底，其表面上包含有一低介电常数介电层，此方法包括下列步骤：在该低介电常数介电层表面施行一沉积程序，以形成一无氮抗反射层，其中上述沉积程序是以含硅与含氧气体，加上氢气的混合气体作为反应气体；以一光阻层图案作为掩膜蚀刻该无氮抗反射层；以及以该光阻层及该无氮抗反射层图案作为掩膜蚀刻该低介电常数介电层，其中在上述处理同时或之后加上一氢气的电浆处理程序，以得到一介层窗或沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 连线 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属内连线的制造方法，适用于一半导体基底，其表面上包含有一低介电常数介电层，此方法包括下列步骤：(a)在该低介电常数介电层表面形成一无氮抗反射层；(b)以一光阻层图案作为掩膜蚀刻该无氮抗反射层；以及(c)以该光阻层及该无氮抗反射层图案作为掩膜蚀刻该低介电常数介电层，以得到一开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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