[发明专利]一种大功率可关断半导体器件无效
| 申请号： | 02144253.3 | 申请日： | 2002-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1409406A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | E·卡洛尔;O·阿佩尔多恩;P·斯特雷特;A·韦伯 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨松龄 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种带有门控换向晶闸管的内部pnpn层结构和阴极侧第一门极的大功率可关断半导体器件在阳极侧设有另外的第二门极。所述第二门极接触n掺杂基极层并具有第二门极接点。具有旋转对称设计并相对阳极接点同心设置的第二门极引线与所述第二门极接点连接。所述第二门极引线从元件引出并与阳极接点电绝缘。第二门极接点和门极引线的旋转对称设计使第二门极－阳极电路中各元件几何布置所形成的环线电感极大地减少，通过阳极侧的门极允许隔离晶体管中的电荷载流子与器件关断同步地快速减少。双门极的半导体器件因此能够以‘硬’模式来驱动，具有作用在任一个或两个门极上的非常尖锐和高的门脉冲以进行全接通和关断，并可实现工作频率高达传统IGCT频率的两倍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 可关断 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种大功率可关断半导体器件，包括：半导体基片(1)；和绝缘壳体(2)，其中所述半导体基片(1)设置在阴极侧的阴极接点(41)和阳极侧的阳极接点(31)之间；所述半导体基片(1)具有多个不同的掺杂层(11到14)，所述多个不同的掺杂层(11到14)构成了门控换向晶闸管的内部结构，可以通过第一门极(5)来关断；所述不同掺杂层有四层，顺序为：在阳极侧作为外层的p掺杂阳极层(11)，n掺杂基极层(12)，p掺杂基极层(13)，和在阴极侧作为外层的n掺杂阴极层(14)，所述第一门极(5)设置在阴极侧，与所述p掺杂基极层(13)接触，并设有第一门极接点(51)；和所述第一门极接点(51)与低感应系数的第一门极引线(52)连接；其特征在于：第二门极(6)设置在所述阳极侧，与所述n掺杂基极层(12)接触，并设有第二门极接点(61)，和所述第二门极接点(61)与低感应系数的第二门极引线(62)连接。
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