[发明专利]半导体激光元件

摘要

本发明提供一种半导体激光元件，该元件具有小的脊部外侧电容和高的响应速度，并能够实现具有所需脉冲波形的脉冲振荡。在GaAs衬底(101)上，设置n－型缓冲层(102)、n－型第一包层(103)、MQW有源层(104)、p－型第二包层(105)、其能带隙小于第二包层(105)的能带隙的p－型蚀刻终止层(106)、构成脊形部分的p－型第三包层(107)、以及p－型保护层(108)。在脊部宽度方向上在两侧层叠p－型间隔层(109)、n－型光电限制层(110)、n－型电流限制层(111)和p－型平坦层(112)。在这些层上层叠p－型接触层(113)。当施以偏压时，耗尽层扩展到间隔层(109)中。因此，降低了间隔层(109)和光电限制层(110)之间的电容，并加快了半导体激光元件脉冲振荡时的响应速度。

主权项

1.一种半导体激光元件，其中在半导体衬底(101，201，301，401)上至少设置一第一导电类型的第一包层(103，303，403)、一个有源层(104，304，404)、一个第二导电类型的第二包层(105，205，305，405)、一个其能带隙小于第二包层(105，205，305，405)的第二导电类型的蚀刻终止层(106，306，406)、一个脊形第二导电类型的第三包层(107，307，411)以及一个第一导电类型的光电限制层(110，210，310，408)，该光电限制层设置在第三包层(107，307，411)的宽度方向上的两侧并具有比第二包层(105，205，305，405)的折射率小的折射率，该半导体激光元件包括：一个第二导电类型或者本征间隔层(109，209，309，407)，该间隔层设置在蚀刻终止层(106，306，406)和光电限制层(110，210，310，408)之间，与蚀刻终止层(106，306，406)接触。