[发明专利]熔体温度处理细化亚共晶铝硅合金晶粒方法无效
| 申请号： | 02145111.7 | 申请日： | 2002-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN1405345A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王荣;王俊;何树先;倪红军;孙宝德 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C22C21/04 | 分类号： | C22C21/04;C22F1/043 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟 |
| 地址： | 200030*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 熔体温度处理细化亚共晶铝硅合金晶粒方法属于连续铸造领域。方法具体如下采用两个电阻炉和石墨坩埚进行高低温熔体的熔化，将铝合金放入高低温两容器中升温熔化温度，在合金开始熔化时加入1％－5％保护熔剂；将低温熔体迅速转移已经预热到600℃－650℃的熔化炉中降温，高温熔体则升温到850℃－950℃；扒去熔体表面熔剂膜，迅速将高温熔体浇入低温熔体中形成混合熔体；混合停留45秒至90秒后进行浇铸。本发明无需专用设备，细化效率很高，能够在较低成本的前提下大幅度地提高铝硅合金的力学性能，非常适合大规模工业生产，操作易行，无环境污染，保护性熔剂克服了熔体温度处理技术本身的诸多缺陷，使亚共晶铝硅合金拉伸强度平均提高40％，延伸率提高10％左右。 | ||
| 搜索关键词： | 体温 处理 细化 亚共晶铝硅 合金 晶粒 方法 | ||
【主权项】：
1、一种熔体温度处理细化亚共晶铝硅合金晶粒方法，其特征在于方法具体如下：(1)采用两个电阻炉和石墨坩埚进行高低温熔体的熔化，将铝合金放入高低温两容器中升温熔化温度，在合金开始熔化时加入1％-5％保护熔剂；(2)将低温熔体迅速转移已经预热到600℃-650℃的熔化炉中降温，高温熔体则升温到850℃-950℃；(3)扒去熔体表面熔剂膜，迅速将高温熔体浇入低温熔体中形成混合熔体；(4)混合停留45秒至90秒后进行浇铸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学，未经上海交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02145111.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
