[发明专利]消除双层嵌入结构的铜侵蚀的方法

摘要

本发明涉及一种消除双层嵌入结构的铜侵蚀的方法，包含步骤在基材中形成导体层；在基材上形成第一介电层；形成一双层嵌入开口于第一介电层中以曝露出该导体层，其中表面上，该双层嵌入开口包含第一介层洞开口及在该第一介层洞开口上的沟渠；沉积第一阻障层于该沟渠及该介层洞开口的侧壁上；在该沟渠及介层洞开口中形成铜层；沉积第二阻障层覆盖于该铜层及该第一介电层；定义该第二阻障层图案以对准该铜层；沉积蚀刻停止层于该第二阻障层及第一介电层上；沉积第二介电层在该蚀刻停止层上；去除该第二介电层及蚀刻停止层的一部分以形成第二介层洞开口，其曝露出该第二阻障层的一部分。采用本发明的方法，可以生产出优质的铜内连线。

主权项

1.一种消除双层嵌入结构的铜侵蚀的方法，包含步骤：在一基材中形成一导体层；在该基材上形成一第一介电层；形成一双层嵌入开口于该第一介电层中，以曝露出该导体层，其特征在于：表面上，该双层嵌入开口包含一第一介层洞开口及一在该第一介层洞开口上的沟渠；沉积一第一阻障层于该沟渠及该介层洞开口的侧壁上；在该沟渠及介层洞开口中，形成一铜层；沉积一第二阻障层覆盖于该铜层及该第一介电层；定义该第二阻障层图案，以对准该铜层；沉积一蚀刻停止层于该第二阻障层及第一介电层上；沉积一第二介电层在该蚀刻停止层上；去除该第二介电层及蚀刻停止层的一部份，以形成一第二介层洞开口，其曝露出该第二阻障层的一部份。