[发明专利]低介电常数材料的表面处理方法有效
| 申请号： | 02145828.6 | 申请日： | 2002-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1490852A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 黎丽萍;包天一;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;潘培坤 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低介电常数材料的表面处理方法，包括下列步骤：沉积一低介电常数材料于一半导体基底上而形成一介电层；以及施行一氢气的电浆处理程序，以降低介电层的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 材料 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低介电常数材料的表面处理方法，其特征在于，包括下列步骤：沉积一低介电常数材料于一半导体基底上而形成一介电层；以及对该介电层施行一氢气的电浆处理程序，以降低介电层的介电常数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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