[发明专利]在半导体制造流程中防止晶圆污染的方法及装置有效
| 申请号： | 02145877.4 | 申请日： | 2002-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1490842A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李震霄;杨俊奎 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在半导体制造流程中防止晶圆污染的方法；本方法包括判定污染源制造工序并定义污染源制造工序后续的改善处理；此方法会追踪晶圆在半导体晶圆制造流程设备(fab)中的制造流程记录，并在晶圆经过判定的污染源制造工序后或经过定义的改善处理后标示该晶圆。晶圆制造设备的制造执行系统(Manufacturing Executive System(MES))则用来核查确认晶圆在经过判定为污染源的制造流程后，是否曾经执行过定义的改善处理程序，若发现经过判定为污染源制造工序的晶圆并未随即进行改善处理程序，则会中止该晶圆的制造。本方法与一晶圆制造设备的制造执行系统(MES)相整合；可利用半导体晶圆制造流程与设备管理中的多项设备控制来激活自动制造流程操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 流程 防止 污染 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体制造流程中防止晶圆污染的方法，应用于半导体制造设备中，其特征在于，包括以下步骤：追踪晶圆在半导体制造流程设备中的制造流程记录，以判定是否经过一污染源制造工序；标示经过上述被判定污染源制造工序处理的晶圆；依据该经过污染源的标示，执行一定义改善处理程序；以及标示已执行上述被定义改善处理程序的晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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