[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法有效
| 申请号： | 02146139.2 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1494125A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 黄建恺;郑丰绪;李瑞评 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法。首先，提供一具有一沟槽的基底，并使用单一晶圆制程的湿氧化法在沟槽的表面顺应性形成氧化硅层，作为衬氧化硅层；对基底及衬氧化硅层实施一临场回火处理；最后，在沟槽中完全填入一绝缘层，完成浅沟槽隔离结构的制作。具有增加每一持制晶圆的衬氧化硅层的均匀性、释放应力及防止掺杂物从元件区扩散至浅沟槽隔离结构的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)提供一基底，其上覆盖有一罩幕层；(2)蚀刻该罩幕层，以形成至少一开口，而露出该基底；(3)蚀刻该开口下方的基底，以在其中形成一沟槽；(4)于一既定温度下，通过单一晶圆制程的湿氧化法，在该沟槽表面顺应性形成一氧化硅层，以作为一衬氧化硅层；(5)于该既定温度下，对该基底及该氧化硅层实施一临场回火处理；(6)在该罩幕层上形成一绝缘层，并填入该沟槽；(7)去除该罩幕层上方的该绝缘层；(8)去除该罩幕层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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