[发明专利]在半导体基底之中形成浅沟槽隔离物的方法无效
| 申请号： | 02146140.6 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1494126A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 顾子琨;董萱盛;杜建男;庄筱雯 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种在半导体基底之中形成浅沟槽隔离物的方法，至少包括下列步骤：在半导体基底表面形成具有开口的硬罩幕；经由开口蚀刻半导体基底以形成一浅沟槽；在硬罩幕表面形成一绝缘物质，以填入浅沟槽；利用硬罩幕当作研磨停止层，并且平坦化绝缘物质；去除硬罩幕，以露出半导体基底的上表面；在半导体基底的上表面形成一牺牲氧化层；在含有氩气的环境下对半导体基底进行回火。具有提高产品的优良率、降低制程复杂度与制造成本的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 之中 形成 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体基底之中形成浅沟槽隔离物的方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)在半导体基底表面形成具有开口的硬罩幕；(2)经由所述开口蚀刻所述半导体基底，以形成一浅沟槽；(3)在所述硬罩幕表面形成一绝缘物质，以填入所述浅沟槽；(4)利用所述硬罩幕当作研磨停止层，并且平坦化所述绝缘物质；(5)去除所述硬罩幕，以露出所述半导体基底的上表面；(6)在所述半导体基底的上表面形成一牺牲氧化层；(7)在含有氩气的环境下对所述半导体基底进行回火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
