[发明专利]监测自行对准硅化物残留的测试窗结构

摘要

一种监测自行对准硅化物残留的测试窗结构，该测试窗结构包含有一硅基底；复数列扩散区域互相平行设置于该硅基底表面；复数行多晶硅线，横跨于该复数列扩散区域上，且该复数行多晶硅线将该复数列扩散区域区隔出复数个接触洞区域，其中各该接触洞区域皆包含有一离子井；一介电层覆盖该复数行多晶硅线以及该复数列扩散区域上；以及复数列金属测试指，接近正交于该复数行多晶硅线，设置于该介电层上，且各该金属测试指经由一接触插塞与各该离子井电连接；因本发明具有三层结构的设计，因此能够灵敏的测出单边金属物残留衍生漏电流，尤其对于金属硅化物后清洗制程的清洗效果能有较好的评估。

主权项

1.一种监测自行对准硅化物残留的测试窗结构，其特征是：该测试窗结构包含有：一硅基底，其上至少具有一第一扩散区域以及一第二扩散区域横向设置于该第一扩散区域的一侧；一第一多晶硅线以及一第二多晶硅线，横跨于该第一扩散区域以及该第二扩散区域上，且该第一多晶硅线以及该第二多晶硅线分别于该第一扩散区域区隔出一第一接触洞区域以及于该第二扩散区域区隔出一第二接触洞区域，其中该第一接触洞区域包含有一第一离子井，该第二接触洞区域包含有一第二离子井；至少一介电层覆盖该第一多晶硅线、该第二多晶硅线、该第一扩散区域以及该第二扩散区域上；以及一第一金属测试指以及一第二金属测试指，接近正交于该第一多晶硅线以及该第二多晶硅线，设置于该介电层上，且该第一金属测试指经由一第一接触插塞与该第一离子井电连接，该第二金属测试指则经由一第二接触插塞与该第二离子井电连接。