[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种高效率地在同一衬底上形成高压MOS晶体管与低压MOS晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的技术。在衬底(100)上形成的第一氧化膜(110)及第二氧化膜(112)中，去除全部低压晶体管区LV的氧化膜，而保留全部高压晶体管区HV的氧化膜。然后，在衬底(100)的全部表面，当用于侧壁的第六氧化膜(119)形成后，在全部高压晶体管区HV形成抗蚀膜(R17)，实施过度蚀刻直至露出低压晶体管区LV的衬底(100)，只在低压晶体管区LV侧形成侧壁，让高压晶体管区HV侧的氧化膜(119)存留。其后，利用抗蚀膜(R15B)，通过蚀刻将不需要的氧化膜(119)和(112)去除，在高压nMOS区HVn的元件形成区，分别打开应成为漏极区与源极区的漏极－源极形成区。不必去除抗蚀膜(R15B)，向开口的漏极－源极形成区引入n型杂质离子。

主权项

1.一种半导体装置制造方法，用于制造在同一半导体衬底上具有不同漏极耐压能力的高压MOS晶体管与低压MOS晶体管的半导体装置，所述制造方法的特征在于包括以下步骤：(a)在所述衬底的上方已形成的第一绝缘膜上形成栅极；(b)在已形成的所述栅极的侧面形成侧壁；(c)通过引入杂质元素，形成漏极区及源极区；所述步骤(b)中包括，(b1)在包含所述栅极的所述衬底的表面形成第二绝缘膜；(b2)形成覆盖与所述高压MOS晶体管对应区域的第一掩膜；以及(b3)利用已有的所述第一掩膜，在所述衬底上已形成的所述绝缘膜内，通过蚀刻与所述低压MOS晶体管对应区域的所述第二绝缘膜，在所述低压MOS晶体管的所述栅极的侧面，形成由所述第二绝缘膜产生的侧壁。