[发明专利]用于贱金属电极的高介电、抗还原电容介质材料有效
| 申请号： | 02146520.7 | 申请日： | 2002-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1404081A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王晓慧;王永力;马振伟;李龙土;桂治轮 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01B3/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了属于电容器材料制备技术范围的一种用于贱金属电极的高介电、抗还原电容介质材料。该材料的主要成分为BaTiO3与BaZrO3以及BaSnO3的固溶体Bax(ZrySnzTi1－y－z)O3，及二次添加剂和一种以上的稀土氧化物组成的陶瓷材料可以在1000℃～1350℃的温度范围内，在还原气氛中分两段烧结，形成具有优良的介电性能和显微结构的Y5V型用于贱金属电极的高介电、抗还原电容介质材料。材料的室温介电常数介于8,000～15,000，容温变化率介于+22％～－82％，室温介电损耗≤2.5％，交流击穿场强高于4.5kV/mm，陶瓷晶粒尺寸介于500mn～2,500mm。该陶瓷材料可以与贱金属共烧成独石体电容器。是一种适用于制造以贱金属电极的大容量、具有广泛应用前景的MLCC材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属电极 高介电 还原 电容 介质 材料 | ||
【主权项】：
1.一种用于贱金属电极的高介电、抗还原电容介质材料材料，该材料主要由钛酸钡与锆酸钡、锡酸钡的固溶体和二次添加剂组成，其特征在于：所述主料固溶体钛酸钡BaTiO3与锆酸钡BaZrO3以及锡酸钡BaSnO3在配方中所占的摩尔数为91～98mol％；所述二次添加物的用量占材料总量的2～9mol％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02146520.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
