[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 02146578.9 | 申请日： | 2002-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1492478A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 梁明中 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体元件的制造方法，此方法是定义一基底，于此基底上沉积一层第一材质层，然后于此第一材质层上提供一层光阻层，接着图案化及定义此光阻层，以形成至少一大致上是垂直的侧壁及一大致上是水平的表面。其中该垂直侧壁，其表面呈现“驻波”状。然后在已图案化及已定义的光阻层上沉积一层高分子层，此高分子层大致上是共形且覆盖于光阻层的垂直侧壁以及水平的表面，并且此高分子层覆盖该垂直侧壁驻波形状的表面，以形成一大致上是平滑的轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于：包括：提供一半导体基底；在该半导体基底上沉积一第一材质层；在该第一材质层上提供一光阻层；图案化及定义该光阻层，以形成至少一大致上是垂直的侧壁，及一大致上是水平的表面；在该已图案化且已定义的光阻层上沉积一高分子层，该高分子层大致上是共形且覆盖该光阻层的该垂直侧壁，以形成一大致上是平滑的轮廓。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02146578.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：结晶装置、结晶方法及相位转换机构
- 下一篇：集成电路制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
