[发明专利]以单一晶圆式化学气相沉积的反应器连续形成氧化物/氮化物/氧化物绝缘层的制造方法无效
| 申请号： | 02146721.8 | 申请日： | 2002-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1499586A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李世达;聂俊峰;郑丰绪 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;C23C16/40;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种以单一晶圆式化学气相沉积的反应器连续形成氧化物/氮化物/氧化物绝缘层的制造方法，放置基底于单一晶圆式化学气相沉积的反应器中；导入含氧前驱体于单一晶圆式化学气相沉积的反应器内部，以沉积第一氧化层于基底表面；导入含氮前驱体于单一晶圆式化学气相沉积的反应器内部，沉积氮化层于第一氧化层表面；导入氧气于单一晶圆式化学气相沉积的反应器内部，并且同时实施热处理程序，氧化生成第二氧化层于氮化层表面。克服传统热氧化法所制造的氧化物结构松散而导致绝缘层崩溃与漏电流的缺陷，具有大幅缩短制程时间及提高元件质量的的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 单一 晶圆式 化学 沉积 反应器 连续 形成 氧化物 氮化物 绝缘 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种以单一晶圆式化学气相沉积的反应器连续形成氧化物/氮化物/氧化物绝缘层的制造方法，其特征是：它包括如下步骤：(1)放置一金属基底于单一晶圆式化学气相沉积的反应器中；(2)导入含氧前驱体于所述单一晶圆式化学气相沉积的反应器内部，以沉积第一氧化层于所述金属基底表面；(3)导入一含氮前驱体于所述单一晶圆式化学气相沉积的反应器内部，以沉积氮化层于所述第一氧化层表面；(4)导入一氧气于所述单一晶圆式化学气相沉积的反应器内部，并且同时实施热处理程序，以氧化生成第二氧化层于所述氮化层表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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