[发明专利]降低非扫描可测试性设计管脚开销的方法无效
申请号: | 02146776.5 | 申请日: | 2002-11-08 |
公开(公告)号: | CN1405879A | 公开(公告)日: | 2003-03-26 |
发明(设计)人: | 向东 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 降低非扫描可测试性设计管脚开销的方法属集成电路可测试性设计技术领域,其特征在于它采用了自行设计的低成本的非扫描可测试性设计的测试点结构。它在尽可能减少控制信号输入端以降低管脚开销的同时,尽可能地把控制信号连到不会导致新的不可测故障的原始输入上,以避免信号目标的冲突。它首先采取判断新的重汇聚扇出是否为时间延迟不相同的分支,若不相同,则不会导致新的不可测故障;若相同,则判断新的重汇聚扇出是否具有一致的反向奇偶性,若两点间不存在一条路径即反向奇偶性为00,则不会产生新的不可测故障。最后,它把额外的管脚开销降为两个一个是统一的测试信号输入管脚,另一个是特征分析器的唯一的输出管脚。 | ||
搜索关键词: | 降低 扫描 测试 设计 管脚 开销 方法 | ||
【主权项】:
1.降低非扫描可测试性设计管脚开销的方法,其特征在于:它采用了低成本的非扫描可测试性设计的测试点结构:其中测试点l1,l2,……,lh的控制信号连到原始输入PI1,……,测试点lj,……,lq的控制信号连到原始输入PI2。所有的测试点分别通过一个选通门“与”门连到原始输入PI1、PI2,1-可控测试点结构直接与“与”门相连,而0-可控测试点结构则通过一个反相器同“与”门相连。所有与一个原始输入PI1或PI2相连的可控测试点可共享一个“与”门,所有可控测试点均由一个统一的测试信号test控制;它是一种在检查原始输入扇出的扇出分支和可控测试点在重汇聚处是否导致新的不可测故障时,把所有测试点的控制信号尽可能连到不导致新的重汇聚扇出的原始输入处的减少管脚开销的方法,它依次含有以下步骤:(1).设定电路结构描述参数:每一条信号线l的标号、类型、前驱表和后驱表;测试点集合{l1,l2,…,li},i,j分别为测试点li及原始输入PIj,的下标,n为原始输入PI的个数;(2).在n≥j时,置i=1,j=1,调用converge(li,PIj),程序判断测试点li与原始输入PIj是否汇聚:(2.1).把li的所有直接后继放入堆栈Q中并对每一个点加以标志表明已被访问过;(2.2).从堆栈Q中取出一个单元lV,对于lV的所有直接后继中未被访问过的单元V1加一个标志,置入堆栈Q中;(2.3).求出所有由PI可达到的lV,把lV已在步骤(2.1)、(2.2)中被访问过的置入集合C中;(2.4).集合C是测试点li与原始输入的汇聚点,若C为空则不汇聚;(3).n≥j时,若li与PIj不汇聚,则把测试点li的控制输入连到原始输入PIj上,改变电路结构,即若PIj的后继表里增加li,而li的前驱表里增加PIj。使i=i+1,一直做到lt,再令j=j+1,一直到j=n;(4).n≥j时,若li与PIj汇聚,则令j=1,执行以下步骤:(4.1).调用converge(li,PIj)找出li与PIj的汇聚点集合{R1,R2,…,Rk},对任一汇聚点R,设R的输入为a,b,且a由Ii可达,b由PIj可达;(4.2).若R为“与”或“与非”门,且在信号线l上取值为1的由a到li的信号延时seq1(li,a)不等于取值为1的由b到PIj的信号延时seq1(PIj,b),或者若R为“或”或“或非”门,且在信号线l上取值为0的由a到li的信号延时seq0(li,a)不等于取值为0的由b到PIj的信号延时seq0(PIj,b),则将测试点I1的控制输入连到原始输入PIj;否则执行下一步骤;(4.3).若R为“与”或“与非”门且信号线l上取值为1的由a到li的反向奇偶性inv1(li,a)或者信号线l上取值为1的由b到PIj的反向奇偶性inv1(PIj,b)之一为0,或者若R为“或”或“或非”门且信号线l上取值为0的由a到li的反向奇偶性inv0(l1,a)或者信号线l上取值为0的由b到PIj的反向奇偶性inv0(PIj,b)之一为0,则把测试点li的控制输入连到原始输入PIj;(4.4).若li的控制输入已连到PIj上,则如步骤(3)改变电路结构,令j=j+1;(5).若it>i,则令i=i+1,j=1,转到步骤(3);(6).输出所有测试点连接的原始输入,或者返回未能连接上的测试点集合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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