[发明专利]磁记录介质和磁存储装置无效
| 申请号： | 02146828.1 | 申请日： | 2002-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1442847A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 冈本巌 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;H01F10/14;H01F10/16 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁记录介质具有第一、第二和第三磁性层，第一、第二和第三磁性层在没有外部磁场施加到磁记录介质上的状态具有交替反平行的磁化方向，第一非磁性层夹在第一和第二磁性层之间，并且第二非磁性层夹在第二和第三磁性层之间。关系Ms2×t2＜(Ms1×t1+Ms3×t3)成立，其中Ms1、Ms2和Ms3，以及t1、t2和t3分别表示第一、第二和第三磁性层的饱和磁化和厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，包括：具有饱和磁化Ms1和厚度t1的第一磁性层；提供在所述第一磁性层上的第一非磁性层；提供在所述第一非磁性层上的第二磁性层，它具有饱和磁化Ms2和厚度t2；提供在所述第二磁性层上的第二非磁性层；和提供在所述第二非磁性层上的第三磁性层，它具有饱和磁化Ms3和厚度t3，所述第一、第二和第三磁性层在没有外部磁场施加到磁记录介质上的状态具有交替反平行的磁化方向，其中Ms2×t2＜(Ms1×t1+Ms3×t3)。
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