[发明专利]形成自对准金属硅化物的方法

摘要

本发明公开了一种在半导体装置上形成自对准金属硅化物的方法，包含下列步骤：提供一基底；在基底上形成第一介电层；在第一介电层上沉积一复晶硅层以形成至少一复晶硅栅极结构；在复晶硅栅极结构与基底上沉积一顺应性介电层；沉积第二介电层于该顺应性介电层上；去除一部分第二介电层以露出栅极结构的顶部表面；沉积一金属层于露出的栅极结构表面以及第二介电层上；将该基底进行退火以在栅极结构上形成金属硅化物层；以及去除至少一部份该金属层。通过在基底上沉积适当厚度的第二介电层，然后再进行沉积金属层，由于其它的主动区均预先被第二介电层覆盖，因此所沉积的金属层不会与任何扩散区接触，因此避免了自对准金属硅化物的桥接问题。

主权项

1.一种形成自对准金属硅化物的方法，其特征在于，包含：提供一基底；在该基底上形成一第一介电层；在该第一介电层上沉积一复晶硅层以形成至少一栅极结构；在该栅极结构与该基底上沉积一第二介电层；去除一部分该第二介电层以露出该栅极结构的顶部表面；沉积一金属层于该露出的栅极结构表面以及该第二介电层上；以及将该基底进行退火以在该栅极结构上形成一金属硅化物层。