[发明专利]化学机械研磨过程中测量非金属层厚度的方法无效
| 申请号： | 02146904.0 | 申请日： | 2002-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1492213A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘埃森;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;徐金国 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种测量二氧化硅层厚度的方法，应用于化学机械研磨过程中。此方法先化学机械研磨一测试芯片上，在测试芯片研磨过程中，利用傅立叶转换红外线光谱仪与椭圆仪测量测试芯片数次，以获得一校正曲线。然后，再用化学机械研磨一测量芯片上的二氧化硅层，二氧化硅层形成于氮化硅层上方，在此测量芯片的研磨过程中的一时间点利用傅立叶转换红外线光谱仪测量此测量芯片，并通过内插校正曲线，以获得二氧化硅层在此时间点的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 过程 测量 非金属 厚度 方法 | ||
【主权项】：
1、一种测量非金属层厚度的方法，应用于化学机械研磨过程中，该方法至少包括下列步骤：化学机械研磨一测试芯片上的一第一非金属层，该第一非金属层形成于一第一基础层上方，在该测试芯片研磨过程中，利用一傅立叶转换红外线光谱仪与一椭圆仪测量该测试芯片数次，以获得该第一非金属层厚度对面积比作图的一校正曲线；以及化学机械研磨一测量芯片上的一第二非金属层，该第二非金属层形成于一第二基础层上方，该第一非金属层与该第二非金属层具有大体相同起始厚度，在该测量芯片研磨过程中的一时间点利用该傅立叶转换红外线光谱仪测量该测量芯片，并通过内插该校正曲线，以获得该第二非金属层于该时间点的厚度。
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