[发明专利]其存储单元具有串联的磁隧道结和隧道结的存储器件无效
| 申请号： | 02146945.8 | 申请日： | 2002-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1414559A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | L·T·特兰;M·沙马;T·C·安东尼 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器件(10)包括其磁隧道结(134，234，334)与隧道结(136，236，336)串联的双隧道结存储单元(130，230，330)。磁隧道结(134，234，334)在写入操作时可以从第一电阻状态改变为第二电阻状态。磁隧道结(134，234，334)具有与隧道结(136，236，336)不同的电阻电压特性，此不同的电阻电压特性允许在写入操作时熔断磁隧道结(134，234，334)而不熔断隧道结(136，236，336)。磁隧道结(134，234，334)电阻状态的变化改变了所选择的存储单元(130，230，330)的电阻，在读出操作时可检测这种电阻变化。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 具有 串联 隧道 器件 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元(130，230，330)，它包括：第一隧道结(134，234，334)；以及与所述第一隧道结(134，234，334)串联的第二隧道结(136，236，336)，其中所述第一隧道结(134，234，334)可以从第一电阻状态改变到第二电阻状态，并且所述第一隧道结(134，234，334)具有与所述第二隧道结(136，236，336)不同的电阻—电压特性。
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