[发明专利]形成具有自我对准的金属氧化物半导体晶体管的方法

摘要

本发明提供一种形成一具有自我对准及硅化金属层覆盖的基极的金属氧化物半导体晶体管的方法。本方法主要是沉积一具有选择性的介电层，比如复晶硅锗于基极的上端，以增加表面积。然后，在其表面形成一硅化金属层以降低电阻值。因此，所形成的基极较传统方法所形成的有较大的接触面积且更易于与导线连接，故可增进金属氧化物半导体晶体管的效率。此基极具有较大的表面积与较低的电阻值，故此方法适合用于当集成电路尺寸越来越小的制程中。

主权项

1.一种增加基极表面积的方法，其特征在于，至少包含下列步骤：提供一结构，该结构至少包含一底材，在该底材上至少包含一基极氧化层，一基极位于该基极氧化层上，该底材内至少包含一轻掺杂集电极及一轻掺杂发射极；形成一第一介电层以覆盖该底材、该基极氧化层、该基极、该轻掺杂集电极、与该轻掺杂发射极；蚀刻该第一介电层以裸露出该基极的一部份区域；选择性沉积一第二介电层以覆盖于该基极的该部份区域，其中该第二介电层将该基极的该部分区域包覆在其中；以及以该第二介电层为一幕罩，蚀刻部份该第一介电层以裸露出该轻掺杂集电极与该轻掺杂发射极，部份剩余在该基极表面的该第一介电层则作为该基极的一侧壁。