[发明专利]具有多个布线层的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 02147027.8 | 申请日： | 2002-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1402344A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 下冈义明;柴田英毅;宮岛秀史;冨冈和广 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有多个布线层的半导体器件具备第一绝缘膜；形成于该第一绝缘膜上的第一布线层；形成于上述第一布线层上的第二布线层；和设置在第一绝缘膜和所述第一布线层的上面，第二布线层中相邻布线之间和所述第二布线层中布线下侧与所述第一绝缘层和所述第一布线层之间的低相对介电常数的第二绝缘膜。所述半导体器件的制造方法具备形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜中形成多个布线沟；通过将金属膜埋入所述布线沟中来形成多个布线；去除所述布线间的所述第一层间绝缘膜来形成埋入沟；在所述埋入沟中埋入由低介电常数材料构成的第二层间绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 布线 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有多个布线层的半导体器件，其特征在于，具备：最初形成层状的第一绝缘膜；形成于该第一绝缘膜上的包含多个布线的第一布线层；形成于上述第一布线层上面或上方的包含多个布线的第二布线层；和设置在形成为平面的所述第一绝缘膜和所述第一布线层的上面，形成于所述第二布线层中相邻布线与布线之间和所述第二布线层中布线下侧与所述第一绝缘层和所述第一布线层之间，至少所述第一布线层的布线与所述第二布线层的布线之间的部分具有比所述第一绝缘膜低的相对介电常数的第二绝缘膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02147027.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：交换鼓型轮转机
- 下一篇：血管生成蛋白及其应用
