[发明专利]半导体制造装置的寿命诊断方法无效
| 申请号： | 02147030.8 | 申请日： | 2002-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1404103A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 佐俣秀一;牛久幸广;石井贤;中尾隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/365;F04C25/02;C23C16/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种不受半导钵制造中涉及的处理条件的变动和电源变动以及机械误差影响的半导体制造装置的寿命诊断方法。该方法包括(1)测定半导体制造装置没有恶化时的特征量的基准时间系列数据(步骤S11)；(2)从基准时间系列数据求出基准自共分数函数(步骤S12)；(3)从该基准自共分数函数提取处理条件的变动和电源引起的基准变动，求出该基准变动的周期(步骤S13)；(4)在成为半导体制造装置的评价对象的序列中，测定特征量的诊断用时间系列数据(步骤S14)；(5)从该诊断用时间系列数据求出诊断用自共分数函数(步骤S15)；(6)使用比基准变动周期短的周期成分从该诊断用自共分散函数决定半导体制造装置的寿命(步骤S16)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 寿命 诊断 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置的寿命诊断方法，其特征在于包括：测定半导体制造装置没有恶化时的特征量的基准时间系列数据的步骤；从上述基准时间系列数据求出基准自共分散函数的步骤；从该基准自共分散函数提取处理条件的变动和电源引起的基准变动，求出该基准变动的周期的步骤；在成为半导体制造装置的评价对象的序列中，测定上述特征量的诊断用时间系列数据的步骤；从该诊断用时间系列数据求出诊断用自共分散函数的步骤；以及使用比上述基准变动周期短的周期成分从上述诊断用自共分散函数决定上述半导体制造装置的寿命的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02147030.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机EL元件及其制造方法
- 下一篇：延迟锁相回路装置与时钟信号产生方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
