[发明专利]一种在硅衬底上形成MOS器件的方法无效
| 申请号： | 02147045.6 | 申请日： | 2002-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1414617A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 井口胜次;许胜籐;大野芳睦;马哲申 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京,章社杲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在硅衬底上形成MOS或CMOS器件的方法，包括制备一个衬底，其内部包含具有器件有源区的导电区；在器件有源区上形成栅极电极；在各个栅极电极上淀积并形成栅极电极侧壁绝缘体层；掺杂第一类型的离子，在一个器件有源区内形成一个源极区和一个漏极区，并掺杂第二类型的离子，在另一个器件有源区内形成一个源极区和一个漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 形成 mos 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅衬底上形成MOS器件的方法，包括：a)制备一个衬底，以容纳具有第一器件有源区的第一导电类型的一个导电区；b)在第一器件有源区上形成栅极电极结构，所述栅极电极结构包括栅极电极和绝缘侧壁；c)向所述导电区的暴露部位中掺杂与所述第一器件有源区具有相反导电类型的离子，以在所述栅极电极结构的相对两侧形成源极和漏极区；并且d)通过有选择性的化学气相淀积在所述源极和漏极区上面和所述栅极电极上面淀积一个硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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