[发明专利]测试阵列与测试存储阵列的方法无效
| 申请号： | 02147054.5 | 申请日： | 2002-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1414619A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | L·T·特兰 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 测试阵列(100，200)包含行导体(110，210)，列导体(120，220)和位于行导体与列导体交点上的存储单元(130，230)。测试阵列(100，200)可使成组(124，214，224)的行导体(110，210)或列导体(120，220)电耦合或联接起来，以便它们可以共享公共端(216，226)。其它所选行和列导体可拥有单独端点(112，122，212，222)。在这种配置中，使用测试装置可以测量出存储单元(130，230)的特性，该存储单元位于拥有单独端点(112，122，212，222)的行导体与列导体的交叉点。将成组的行、列导体联接起来意味着测试阵列(100，200)可使用更少用来与测试装置连接的端点。因此，拥有有限数目的与测试阵列端点连接的探头的测试装置可用于测试各种各样规模的测试阵列(100，200)。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 阵列 存储 方法 | ||
【主权项】：
1.一个测试阵列(100，200)包含：多个第一导体(120，210，220)，包含：至少一组(124，214，224)的第一导体(120，210，220)，其中组(124，214，224)中第一导体(120，210，220)与组(124，214，224)中公共端(126，216，226)电耦合和至少一个第一导体(120，210，220)与端点(122，212，222)耦合；多个第二导体(110，210，220)和多个位于第一、第二导体交点上的存储单元(130，230)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠普公司，未经惠普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02147054.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
